美光受惠高頻寬記憶體需求

季績扭虧後股價急彈
27/09/2024
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季績扭虧後股價急彈

美光(MU.US)公布截至8月底止第四財季業績,收入按年升93.3%至77.5億元 (美元,下同);期內錄得純利8.9億元,相對上年同期為虧損14.3億元。撇除非經常性項目後,經調整純利錄得13.4億元,上年同期為經調整虧損11.8億元。

期內,毛利率為35.3%,按年轉正,按季亦提升6.3個百分點。按業務劃分, DRAM(隨儲記憶體)收入按年增長93.3%至53.3億元;NAND(快閃記憶體)收入增長96.3%至23.7億元;其他產品收入則增長18%至5,900萬元。

美光管理層在業績會上表示,AI發展的龐大需求推動了公司DRAM產品,尤其HBM(高頻寬記憶體)有強勁增長。管理層亦提到,美光優勢在於能夠穩定地提供大批量的先進存儲芯片;隨著各大科技企業爭相發展AI,相信公司將處於有利位置。

對於新財年首季指引,美光預計收入中值為87億元,上下變動約2億元;毛利率中值為38.5%,上下變動約1個百分點。

現時全球先進記憶體芯片的份額,主要由美光和三星及SK海力士等兩間韓國公司所瓜分,雖然記憶體並不像GPU (圖像處理器)般,成為AI運算的核心元件,但由於對記憶體效能的需求亦顯著提升,因此HBM亦成為記憶體廠商目前最具潛力的產品。

美光績後股價大幅抽升超過15%,昨日盤前報95.77元,令今年來累計升幅接近三成。

AI運算對高頻寬記憶體衍生龐大需求,亦帶動美光業績顯著改善。 (網絡圖片)

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