新架構提高DRAM密度

長鑫存儲總裁曹堪宇宣布，預計年底推出採用4F²架構及混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM，面向伺服器市場。公司持續研發及布局專利，產品規格與完整推出日期尚未公布，市場關注其對全球DRAM競爭的影響。

中國記憶體製造商長鑫存儲披露新型動態隨機存取記憶體技術進展，預計2026年底推出融合4F²架構、混合鍵合等技術的DDR5 RDIMM產品。總裁曹堪宇在10月9日至10日於上海舉行的第四屆集成芯片和芯粒大會介紹研發方向，產品定位於伺服器市場。

4F²是記憶體單元面積的一種表示方式，當中的F代表最小特徵尺寸。相較主流6F²架構，新架構縮小單元占用面積，使同樣晶片面積內能容納更多儲存單元，研發重點在提高密度及改善性能、功耗表現，而非只改變產品名稱。

曹堪宇介紹，公司自成立初期即研究相關架構，公開專利族超過300件。長鑫2021年發表相關論文，並於2023年及2025年分享研發進展。此次演講把多年器件研究、製造工藝及產品推出目標連接起來。

相關技術路線涉及垂直晶體管與混合鍵合，讓記憶體陣列及周邊電路以不同工藝優化，再透過互連銜接。新單元布局需要配合器件與工序調整，不能把密度提升簡化為在原有生產流程直接縮小圖案。

公司此次公布的是年底推出目標，尚未列出新DDR5 RDIMM的完整規格與確切發布日期。伺服器記憶體需要配合長時間運行、容量及系統使用要求，技術演講與正式產品供應是不同階段，後續仍須觀察公司公布的產品與客戶資訊。

全球DRAM主要供應商包括三星電子、SK海力士及美光。長鑫進一步開拓伺服器產品，令市場關注新的供應與技術競爭，但一般DDR5產品與高頻寬記憶體用途不同，不能把此次進展直接等同已取代國際廠商所有高端產品。

長鑫是一家研發、設計、製造與銷售一體化的記憶體公司，2016年成立，總部位於安徽合肥，在境內外設有研發中心及分支機構。公司既有產品涵蓋手機、電腦、伺服器、虛擬實境及物聯網等領域，持續按不同應用需求擴充產品組合。（編輯部）