內地DRAM廠商長鑫科技宣布，第五代技術平台已進入量產，透過縮小元件間距提高晶圓上的存儲密度，同時降低功耗和單位成本。公司並推出兩款24Gb LPDDR5X產品，進一步切入智能手機及便攜設備使用的高容量低功耗記憶體市場。
長鑫科技在2026世界製造業大會公布第五代DRAM技術平台量產進展。新平台採用多重圖形化等工藝，把關鍵結構間距縮小至約11.95納米，在不直接採用最先進曝光設備的情況下，提高記憶單元排列密度。公司表示，與上一代平台相比，新平台單片晶圓可產出的有效晶粒數量至少提高50%，意味着相同晶圓面積可製造更多記憶體晶片，對降低平均製造成本和增加產能均有直接作用。
DRAM製程愈往前推進，挑戰不只在於把線寬做小。記憶單元需要在更窄空間內維持穩定電荷、讀寫速度及良率，曝光、蝕刻、薄膜沉積和量測設備都要同步調整。長鑫稱，新平台研發過程使用大量模擬工具，並與中國設備供應商合作，針對多重圖形化及製程控制進行優化。新技術平台進入量產，意味着公司已從試驗線驗證轉向可持續出貨階段。
配合第五代平台，長鑫同時推出兩款24Gb LPDDR5X晶片。單顆24Gb容量較上一代常見的16Gb產品提高50%，可在相同封裝空間內提供更高記憶容量，主要面向旗艦智能手機、平板電腦及其他便攜式電子設備。LPDDR系列產品要求在高速傳輸與低功耗之間取得平衡，容量提升後可支援端側AI模型、多任務處理及高解像度影像應用。
追趕全球DRAM供應商
全球DRAM市場長期由三星電子、SK海力士及美光主導。近兩年AI伺服器帶動高頻寬記憶體需求急升，三大廠商把更多先進產能轉向高毛利產品，普通DRAM、手機記憶體及部分消費電子用料因而出現供應偏緊。長鑫擴大量產平台，有助內地手機、電腦及伺服器產業增加本地採購來源。
第五代平台對長鑫的另一項意義，是改善晶圓成本結構。DRAM價格波動大，當市場進入下行周期，製程成本和良率直接決定廠商能否維持盈利。若單片晶圓可多產出50%以上晶粒，而功耗及性能同步改善，公司便可在價格競爭中保留更大空間。不過，實際成本仍取決於設備折舊、良率、產品組合及量產爬坡速度。
長鑫今年已在上海科創板上市，市場亦關注其後續資本開支和技術迭代。新平台量產後，公司仍需把製程能力轉化為穩定的大批量供應，並在伺服器、高階手機和AI終端等市場爭取客戶認證。全球記憶體需求目前處於上行周期，為新產能導入提供較有利環境，但產品性能、良率及供應穩定性仍是客戶採購的主要考量。由於先進DRAM製程需要長時間完成設計驗證、客戶認證及產能爬坡，宣布量產與形成大規模市場份額之間仍有距離。後續出貨速度，將取決於新平台在不同產品上的良率以及手機、電腦和伺服器客戶導入進度。（編輯部）
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