根據韓國半導體工程師協會發布的《半導體技術路線圖2026》，全球先進邏輯製程未來15年將持續微縮，從目前規劃中的2奈米節點，推進至2040年的0.2奈米，正式跨入埃米（Å）世代。報告指出，隨著線寬微縮逐步逼近物理極限，製程演進將不再單靠微影技術，而是轉向結構、材料與系統層級的整體革新。
路線圖顯示，產業預期在2031年前後進入1奈米世代，即使0.75NA EUV可在2030年前後持續支撐製程微縮，但以光刻為核心的線寬縮小將逐漸遭遇瓶頸，未來競爭焦點將轉向晶片架構與系統設計。
為延續效能提升，電晶體結構將由FinFET演進至GAA，並進一步發展為CFET等三維架構，透過PMOS與NMOS垂直堆疊突破密度限制，配合單晶3D製程及由DTCO走向STCO的設計思維，提升整體效能。
在記憶體方面，DRAM與邏輯製程同步邁向3D化，HBM堆疊層數與頻寬將大幅提升，2040年頻寬可望達128 TB/s；NAND Flash則持續以增加層數換取密度，最高挑戰2,000層。整體而言，半導體產業正加速邁入「超越摩爾定律」的新時代。（編輯部）
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