在美國持續收緊先進晶片設備出口限制之際，Huawei Technologies Co., Ltd.正式提出半導體發展新原則「韜（τ）定律」，並宣示目標在2031年前，設計出電晶體密度相當於1.4奈米製程的高端晶片。市場認為，這代表中國半導體產業正嘗試跳脫傳統摩爾定律路線，在美國制裁下尋找自主突破方向。
根據《人民日報》報道，在上海舉行的2026國際電路與系統研討會上，華為董事、半導體業務部總裁何庭波發表題為「半導體新路徑探索與實踐」的演講，首次對外公布「韜定律」。報導稱，這也是中國半導體產業首次提出面向全球的新一代產業演進原則。
華為表示，「韜定律」核心概念是以「時間縮微」取代傳統「幾何縮微」。不同於過去透過縮小電晶體尺寸提升性能，華為提出藉由降低系統中的時間常數（τ），壓縮訊號傳播延遲，配合邏輯折疊等新架構技術，持續提升晶片性能與電晶體密度。
報導指出，華為過去6年已基於相關理論設計並量產381款晶片，今年秋季還將推出新一代麒麟手機晶片，全面採用邏輯折疊技術，以進一步提升性能與能效表現。
最先進晶片技術前沿
近年來，全球半導體產業正面臨摩爾定律逐漸逼近物理極限的挑戰。隨著晶片線寬持續縮小，先進製程成本快速攀升，產業界開始尋求新的技術演進路徑。華為認為，未來晶片發展不再只是單純追求尺寸微縮，而是透過器件、電路、晶片與系統層級的協同優化，實現計算能力持續成長。
按照華為規劃，到2031年，基於「韜定律」設計的高端晶片，其電晶體密度將可達到相當於1.4奈米製程的水準。若成功實現，將接近全球本十年末最先進晶片技術前沿。
不過，外界對相關目標仍持審慎態度。Reuters指出，美國目前已限制中國取得先進EUV微影設備及多項關鍵半導體技術，中國短期內難以透過傳統製造工藝追趕全球最先進製程。華為此次提出的新架構與新演算法路徑，被視為試圖繞過先進製程設備限制的替代方案。
近年美國對華為與中國AI晶片產業的制裁持續升級，限制範圍涵蓋高階GPU、先進EDA工具、EUV設備及高頻寬記憶體等關鍵領域。在此背景下，中國科技企業近年加速推動「去美化」與國產替代，並強調透過架構創新、封裝技術與系統優化縮小與國際巨頭差距。
何庭波在演講中亦強調，「未來一定屬於開放合作」。她表示，華為希望在「韜定律」框架下，與全球科學家、工程師及產業夥伴共同推動半導體與電子產業發展。 （編輯部）
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