AI算力軍備競賽持續升溫，全球記憶體市場正面臨多年未見的結構性供應吃緊。瑞銀分析師最新大幅調升美光目標價，由535美元一舉升至1,625美元，並重申「買入」評級，成為近期華爾街對美光最樂觀的外資機構。相比之下，德意志目標價為1,000美元，滙豐及Melius Research則給出1,100美元。受消息刺激，美光26日美股盤前漲幅一度擴大至7%。
美光近日警告，高頻寬記憶體（HBM）、DRAM及NAND快閃記憶體供應不足情況，恐持續至2026年之後，背後主因是AI應用對高效能記憶體需求爆炸式成長，但供應端卻受限於技術與製程瓶頸，難以快速擴產。
美光指出，此輪供應緊張並非傳統記憶體景氣循環，而是具備長期結構性特徵。隨著製程微縮難度提升，新世代記憶體性能進步幅度開始放緩，單靠技術升級已難大幅提高有效供給。同時，HBM新製程晶粒尺寸持續增加，導致單片晶圓可切割出的晶片數量下降，削弱整體供應彈性。
此外，先進DRAM導入EUV（極紫外光）光刻技術後，雖提升製程精度，但也對產能爬坡速度與成本形成新壓力。即便三星、SK海力士及美光等大廠積極擴產，短期內仍難填補AI帶來的需求缺口。
下一代HBM4E明年量產
產品布局方面，美光透露，公司1-gamma製程節點有望成為史上單位晶圓產出最高的DRAM節點，目前正持續將EUV技術導入量產流程。HBM4量產速度將是HBM3的兩倍，而下一代HBM4E則預計於2027年啟動量產，首批樣品將採用1-gamma節點製造的DRAM模組。
除HBM與DRAM外，AI大型模型推理與上下文視窗持續擴大，也同步推升企業對高容量、高效能SSD的需求。美光表示，公司正透過客製化SSD方案與大型雲端客戶深度合作，提升產品黏著度與溢價能力，並藉此擴大SSD市場份額。
JPMorgan Chase其後在報告中援引美光觀點，認為AI存儲市場多年牛市邏輯已更加明確，供需缺口短期難逆轉。瑞銀則指出，隨著產業逐步簽訂長期供貨協議（LTA），記憶體廠商獲利穩定性將顯著提高。供應鏈調查顯示，目前約30%的DDR產能已被長約鎖定，價格僅略低於現行市場水準。
Timothy Arcuri更預估，美光2027年至2029年間每股盈餘（EPS）可長期維持100美元以上，並有望創造超過4,000億美元自由現金流。他認為，市場未來將重新給予美光更「正常化」的估值，並隨AI帶動記憶體產業結構性轉變，持續上調對公司的評價。 （編輯部）
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