三大廠商恐受衝擊

《華爾街日報》引述知情人士報道，美國商務部已通知台積電、三星與SK海力士等三大半導體巨頭，計劃撤銷其中國晶圓廠得以持續使用美國技術與設備的出口豁免，最快數月內生效。市場憂慮，此舉將對全球半導體供應鏈造成重大衝擊，尤其對記憶體廠商三星與海力士影響最鉅。

目前，台積電、三星與SK海力士在中國營運的晶片廠，皆享有全面豁免待遇，可直接使用含有美國技術的先進製造設備，無須逐案申請出口許可。若豁免取消，三家企業將需轉為個案審批，據業界預估，每次審查流程恐需三至六個月，將嚴重拖慢設備更新、產能擴建與製程升級進度。

雖然美國商務部表示，這項調整為「新的晶片執法機制」，目的是與其他高科技出口規範一致，並確保對中國實施出口管制政策的對等性，但多位半導體產業專家指出，美方此舉弊多於利，對美國本土設備與材料供應商亦將造成損害。由於台積電、三星與海力士在中國的廠區服務主要是中國本地客戶，一旦擴產或升級受限，相關企業恐轉向採購日本、歐洲設備，以規避美國限制，進一步削弱美系供應鏈的全球競爭力。

中國市場轉向本土廠商

此外，業界擔憂，此舉恐迫使中國市場客戶轉向中芯國際、長江存儲等本土廠商，加速中國半導體產業自主發展。專家直言，美國此番「敵我不分」，將親美盟友企業與中國土產企業一概而論，可能導致戰略錯判，反使美方喪失全球半導體主導地位。

根據分析，三大巨頭受影響程度不一。台積電在中國的產能以成熟製程為主，主力晶圓廠為南京Fab 16，採16奈米製程，月產能約2.5萬片；另一座上海Fab 10則生產130奈米與180奈米等老舊製程。由於台積電長期採取低風險策略，將先進製程集中在台灣與美國，因此此次政策調整對其營運衝擊相對有限。

SK海力士受創最深

反觀三星與SK海力士則深受其害。三星在中國西安設有NAND快閃記憶體廠，為其全球唯一海外記憶體生產基地，占其NAND總產能約四成。該廠正從128層技術升級至236層，但美國早已限制出口超過128層所需設備，若豁免被取消，恐徹底斷絕技術升級路徑。

SK海力士情況更為嚴峻，其無錫DRAM廠占全球產能10%，另收購自英特爾的大連NAND廠也占其總產能兩成。一旦美國進一步限制關鍵設備出口，海力士將無法進口EUV微影機等先進設備，恐使其在全球市場失去競爭優勢。

台積電ADR在政策消息曝光後重挫1.87%。市場普遍認為，美國此舉可能進一步升高中美科技對抗風險，加深全球供應鏈不確定性。台新投顧副總黃文清表示，若政策最終成真，將對三星與海力士構成不對稱衝擊，對台積電則相對可控，但全球半導體生態系恐難以避免震盪。未來是否如先前對等關稅政策般出現政策修正，尚有待觀察。 （編輯部）