3D NAND快閃記憶體持續向上堆疊，製程材料正迎來一次關鍵轉換。當層數跨過300層，傳統鎢字線的電阻與填充難度快速上升，三星電子、美光及SK海力士等廠商開始導入鉬，期望降低訊號延遲及漏電風險。材料更換亦把商機由記憶體原廠延伸至沉積設備、前驅物、蝕刻及量測供應鏈。
3D NAND把記憶單元垂直堆疊，以增加單片晶圓容量。層數愈高，廠商要在更深、更窄的孔洞內形成均勻導電層。鎢多年來是成熟選擇，但在高深寬比結構中容易出現空隙，線寬縮小後電阻亦增加，可能拖慢讀寫速度並推高功耗。
鉬的體電阻率與介面表現較適合極細字線，沉積時亦有機會減少阻擋層厚度。研究資料顯示，在先進結構中，鉬可改善填充完整度，並提高有效記憶密度。不過，實際效益仍取決於前驅物純度、沉積溫度、蝕刻選擇比及後續熱處理，不能只以單一材料參數判斷。
三星據報已在部分產品採用鉬，美光於2025年起擴大相關製程，SK海力士則計劃在375層級產品導入。不同廠商的架構和量產時間並不相同，市場也未有證據顯示所有300層以上產品會在同一時間完全棄用鎢；過渡期內，兩種材料及混合方案可能並存。
設備材料同步受惠
材料轉換首先利好化學氣相沉積及原子層沉積設備。鉬層必須在極深孔洞內保持一致厚度，設備商要控制氣體輸送、表面反應和顆粒污染。泛林集團、應用材料、東京威力科創等已有記憶體沉積與蝕刻平台，能否取得新增訂單，仍要看原廠認證及量產良率。
前驅物供應商亦是另一環節。鉬化合物須具備高純度、穩定揮發及低殘留特性，並配合不同設備腔體。新材料由實驗線轉入量產前，原廠通常需要較長驗證周期，一旦通過，供應關係較難頻繁更換。相關企業的實際受惠程度，應以客戶認證、產能及營收披露為準。
蝕刻和量測需求同時增加。層數上升後，任何孔洞偏斜、薄膜不均或介面缺陷都可能影響整串記憶單元。設備商須提供更精確的輪廓控制和缺陷檢測，晶圓廠亦要增加製程步驟。這會提高每片晶圓的設備投入，但也可能拉長生產周期。
對記憶體原廠而言，轉用鉬的目的不是單純追求更高層數，而是保持成本與效能平衡。若新材料令良率下降或前驅物價格過高，單位位元成本未必立即改善。因此廠商會先在特定層級或產品線導入，再按可靠性和客戶測試逐步擴大。
市場研究把鉬視為先進NAND的重要材料，但投資者仍要區分技術受惠與財務受惠。設備公司可能同時面對記憶體資本開支周期，材料商則受產能利用率和議價影響。即使技術方向確立，收入確認也會落後於研發和認證。（編輯部）
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