有望隨HBM6普及

有「HBM 之父」之稱的韓國KAIST（韓國科學技術院）學者Kim Jung-Ho表示，高帶寬內存（HBM）從問世到成為半導體產業核心技術，歷經近十年時間，但新一代高帶寬閃存（HBF）的商業化進程將明顯加快，有望隨HBM6的推出而迅速普及。

Kim Jung-Ho 昨日在一場論壇研討會上指出，一方面，主要存儲原廠在開發 HBM 過程中，已累積大量堆疊設計與製程經驗；另一方面，AI 應用爆炸式成長，使 HBM 在容量層面逐漸難以滿足 AI 工作負載對資料量的需求，促使產業尋求容量更大的替代方案。

目前，繼SK海力士之後，三星電子亦加入由閃迪首創的HBF技術陣營，三方正推動相關技術標準化。業界預期，HBF帶寬可超過 1,638GB/s，約為PCIe 6.0×4 的 50 倍，單顆容量更可達512GB。

在商業化時程方面，SK海力士最快將於本月稍後展示HBF的早期測試版本；三星與閃迪則目標於2027年底至 2028 年初，將HBF導入英偉達、AMD及 Google 的AI XPU平台。至於大規模應用，則預料將隨 HBM6 發布後逐步實現。（編輯部）